MOCVD生长单层和多层GaSb/GaAs、GaAs1-xSbx/GaAs异质结构的X射线测试 | |
刘士文; 徐现刚; 黄柏标; 刘立强; 蒋民华; 黄萍 | |
1991 | |
期号 | Z1页码:428 |
关键词 | MOCVD GaSb/GaAs X射线 x)Sb_x/GaAs 异质结构 结晶质量 外延层 半峰宽 衍射峰 晶胞 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6595134 |
专题 | 山东师范大学 |
作者单位 | 1.山东大学晶体材料研究所 2.山东师范大学调试中心 济南 3.250100 4.济南 5.250100 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘士文,徐现刚,黄柏标,等. MOCVD生长单层和多层GaSb/GaAs、GaAs1-xSbx/GaAs异质结构的X射线测试[J],1991(Z1):428. |
APA | 刘士文,徐现刚,黄柏标,刘立强,蒋民华,&黄萍.(1991).MOCVD生长单层和多层GaSb/GaAs、GaAs1-xSbx/GaAs异质结构的X射线测试.(Z1),428. |
MLA | 刘士文,et al."MOCVD生长单层和多层GaSb/GaAs、GaAs1-xSbx/GaAs异质结构的X射线测试"..Z1(1991):428. |
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