直流辉光放电质谱法测定多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子

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	直流辉光放电质谱法测定多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子
	刘洁 ; 钱荣 ; 99 ; 卓尚军 ; 99
刊名	分析化学
	2012
卷号	40 期号:1 页码:66-71
ISSN号	0253-3820
其他题名	Determination of Relative Sensitivity Factors of Impurities in Poly-Silicon by Direct Current Glow Discharge Mass Spectrometry
通讯作者	钱荣
中文摘要	采用直流辉光放电质谱（dc-GD-MS）测定多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子（RSF）。标样制作过程中主要是在连续通入氩气条件下将固定量的非标准多晶硅样品熔化,向硅熔体中均匀掺入浓度范围为1～30μg/g的关键杂质元素（如B和P）,采用快速固化法制成标样;再将制成的标准样品加工成一系列适合GD-MS扁平池（Flat Cell）的片状样品（20 mm×20 mm×2 mm）。采用二次离子质谱法（SI-MS）对标准样品中关键掺杂元素进行多次定量测定,取平均值作为关键杂质元素的精确含量。优化一系列质谱条件后,运用GD-MS对标样中关键掺杂元素的离子强度进行多次测定,计算平均结果,得到未校正的表观浓度,利用标准曲线法计算出关键杂质元素的相对灵敏度因子。
学科主题	分析化学
收录类别	SCI收录,SSCI收录
语种	中文
公开日期	2013-07-19
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/3668]
专题	上海硅酸盐研究所_无机材料分析测试中心_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘洁,钱荣,99,等. 直流辉光放电质谱法测定多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子[J]. 分析化学,2012,40(1):66-71.
APA	刘洁,钱荣,99,卓尚军,&99.(2012).直流辉光放电质谱法测定多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子.分析化学,40(1),66-71.
MLA	刘洁,et al."直流辉光放电质谱法测定多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子".分析化学 40.1(2012):66-71.