平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验 | |
Lü, Weimin; Hu, Dong; Xie, Jinsong; Weng, Lu | |
刊名 | 北京航空航天大学学报
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2011 | |
卷号 | 37页码:1515-1518 |
关键词 | 铝迁移 功率型半导体晶体管 平面工艺 掺氧半绝缘多晶硅 实验研究 |
ISSN号 | 1001-5965 |
DOI | CNKI:11-2625/V.20111221.0957.013 |
URL标识 | 查看原文 |
收录类别 | EI ; PKUISTICCSCD |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6584702 |
专题 | 北京航空航天大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Lü, Weimin,Hu, Dong,Xie, Jinsong,等. 平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验[J]. 北京航空航天大学学报,2011,37:1515-1518. |
APA | Lü, Weimin,Hu, Dong,Xie, Jinsong,&Weng, Lu.(2011).平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验.北京航空航天大学学报,37,1515-1518. |
MLA | Lü, Weimin,et al."平面工艺功率型半导体晶体管铝迁移实验".北京航空航天大学学报 37(2011):1515-1518. |
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