| Channel Modeling and Reliability Enhancement Design Techniques for STT-MRAM | |
| Zhang, Liuyang; Kang, Wang; Zhang, Youguang; Cheng, Yuanqing; Zeng, Lang; Klein, Jacques-Olivier; Zhao, Weisheng | |
| 2015 | |
| 会议名称 | IEEE-Computer-Society Annual Symposium on VLSI (ISVLSI) |
| 会议日期 | 2015-01-01 |
| 会议地点 | Montpellier, FRANCE |
| 关键词 | Channel modeling Nonvolatile memory Reliability design STT-MRAM |
| 卷号 | 07-10-July-2015 |
| 页码 | 461-466 |
| 收录类别 | EI ; CPCI-S |
| URL标识 | 查看原文 |
| WOS记录号 | WOS:000377094100084 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6540471 |
| 专题 | 北京航空航天大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, Liuyang,Kang, Wang,Zhang, Youguang,et al. Channel Modeling and Reliability Enhancement Design Techniques for STT-MRAM[C]. 见:IEEE-Computer-Society Annual Symposium on VLSI (ISVLSI). Montpellier, FRANCE. 2015-01-01. |
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