题名 | 硅表层硫系元素过饱和掺杂的光电特性研究 |
作者 | 胡少旭 |
学位类别 | 博士 |
答辩日期 | 2013 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 |
授予地点 | 北京 |
导师 | 韩培德 |
学位专业 | 物理电子学 |
语种 | 中文 |
学科主题 | 光电子学 |
公开日期 | 2013-06-20 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24179] |
专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡少旭. 硅表层硫系元素过饱和掺杂的光电特性研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2013. |
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