QQ客服 官方微博 反馈留言

	一种籽晶起始端抑制杂晶形成和长大的方法及模壳结构
	李金国, 赵乃仁, 王志辉, 金涛, 侯桂臣, 郑启, 孙晓峰, 管恒荣 and 胡壮麒
	2005-01-26
专利国别	中国
专利类型	发明专利
权利人	中国科学院金属研究所
中文摘要	本发明涉及单晶高温合金的制备技术,特别提供了一种籽晶起始端抑制杂晶形成和长大的方法及模壳结构。其方法是以籽晶法为基础,预置籽晶于模壳内,在起始端设一缩颈结构,抑制籽晶生长的起始端形成的杂晶,使合金熔体在籽晶的未熔化界面上以外延生长的方式长成单晶。所用模壳结构为预置籽晶的模壳结构,在模壳底部设一缩颈结构,于籽晶生长起始部位的上方。本发明是将以往的籽晶法起始端设计与缩颈选晶器的设计结合起来,从而这样既可以对单晶生长的起始过程出现的杂晶进行抑制和排除,又可以保证获得所需的晶体取向,提高单晶生长的成功率。
公开日期	2005-01-26
语种	中文
专利申请号	CN1570224
内容类型	专利
源URL	[http://210.72.142.130/handle/321006/67910]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李金国, 赵乃仁, 王志辉, 金涛, 侯桂臣, 郑启, 孙晓峰, 管恒荣 and 胡壮麒. 一种籽晶起始端抑制杂晶形成和长大的方法及模壳结构. 2005-01-26.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。