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	一种用离子束加工样品界面实现背散射表征的方法
	谭军, 张磊, 张广平 and 谢天生
	2008-05-07
专利国别	中国
专利类型	发明专利
权利人	中国科学院金属研究所
中文摘要	本发明涉及一种用离子束加工样品界面实现背散射表征的方法,属于利用双 束聚焦离子束系统加工表征界面从而实现背散射成像方法,采用双倾转样品台固 定表征样品进行离子束制备表征界面和实现背散射成像。在聚焦离子束系统中将 样品固定,需要制备表征的部位向侧面放置；利用二次电子成像对样品高度进行 校准识别,聚焦样品上表面；打开离子束,进行双束对中处理,保持离子束加工 位置和电子束观测位置的统一；采用离子束大束流预加工表征界面,采用小束流 精加工制备完毕样品需表征界面；旋转副倾转台,离子束加工界面与入射电子束 的垂直,启用背散射探测器实现背散射电子界面表...
公开日期	2008-05-07
语种	中文
专利申请号	CN101173881
内容类型	专利
源URL	[http://210.72.142.130/handle/321006/67735]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	谭军, 张磊, 张广平 and 谢天生. 一种用离子束加工样品界面实现背散射表征的方法. 2008-05-07.

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