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	Band Alignment for Ambipolar-Doping of SnxZn1−xTe Alloys
	Yuan, XJ; Liu, JZ; Ning, F; Zhang, Y; Tang, LM
刊名	Communications in Theoretical Physics
	2012
卷号	Vol.57 No.4页码:723
ISSN号	0253-6102
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公开日期	[db:dc_date_available]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6507009
专题	湖南大学
作者单位	1.Hunan Univ, Dept Appl Phys, Changsha 410082, Hunan, Peoples R China 2.Hunan Univ, Key Lab Micronano Phys & Technol Hunan Prov, Changsha 410082, Hunan, Peoples R China
推荐引用方式 GB/T 7714	Yuan, XJ,Liu, JZ,Ning, F,et al. Band Alignment for Ambipolar-Doping of SnxZn1−xTe Alloys[J]. Communications in Theoretical Physics,2012,Vol.57 No.4:723.
APA	Yuan, XJ,Liu, JZ,Ning, F,Zhang, Y,&Tang, LM.(2012).Band Alignment for Ambipolar-Doping of SnxZn1−xTe Alloys.Communications in Theoretical Physics,Vol.57 No.4,723.
MLA	Yuan, XJ,et al."Band Alignment for Ambipolar-Doping of SnxZn1−xTe Alloys".Communications in Theoretical Physics Vol.57 No.4(2012):723.

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