CORC  > 金属研究所  > 中国科学院金属研究所
一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法
周延春, 孙鲁超, 王京阳 and 王杰民
2012-11-28
专利国别中国
专利类型发明专利
权利人中国科学院金属研究所
中文摘要本发明属于高温功能/结构陶瓷领域,更具体地说,是涉及一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法。本发明提供了一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法。其以氧化钇粉(Y2O3),氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)为原料,采用微波法来制备Y4Si2O7N2粉体材料,原料的摩尔比为Y2O3∶SiO2∶Si3N4=4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2)。这种方法工艺简单,成本低廉且可操作性强,能够在较低的温度,较短的保温时间内获得单相纯净的钇硅氧氮(Y4Si2O7N2)陶瓷粉体材料。
公开日期2012-11-28
语种中文
专利申请号CN102795855A
内容类型专利
源URL[http://210.72.142.130/handle/321006/67212]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
周延春, 孙鲁超, 王京阳 and 王杰民. 一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法. 2012-11-28.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace