| 基于SiGe工艺的高增益射频功率放大器 | |
| 胡锦; 陶可欣; 郝明丽; 张晓轲 | |
| 刊名 | 微电子学与计算机
 |
| 2012 | |
| 卷号 | 第29卷 第2期页码:18-21 |
| 关键词 | 射频 功率放大器 SiGe |
| ISSN号 | 1000-7180 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 公开日期 | [db:dc_date_available] |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6502205 |
| 专题 | 湖南大学 |
| 作者单位 | 1.湖南大学物理与微电子科学学院 2.中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡锦,陶可欣,郝明丽,等. 基于SiGe工艺的高增益射频功率放大器[J]. 微电子学与计算机,2012,第29卷 第2期:18-21. |
| APA | 胡锦,陶可欣,郝明丽,&张晓轲.(2012).基于SiGe工艺的高增益射频功率放大器.微电子学与计算机,第29卷 第2期,18-21. |
| MLA | 胡锦,et al."基于SiGe工艺的高增益射频功率放大器".微电子学与计算机 第29卷 第2期(2012):18-21. |
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