| 一种高强度碳化硅泡沫陶瓷及其制备方法 | |
| 张劲松, 曹小明, 马立新, 杨正明 and 杨永进 | |
| 2001-12-12 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 一种高强度碳化硅泡沫陶瓷及其制备方法,该泡沫陶瓷筋的相对密度大于90％,平均晶粒尺寸在10nm～10μm。其是以热解后能保持高残碳率的高分子材料为原料,以聚胺酯泡沫塑料为骨架,经挂浆、固化、热解、渗硅处理制备最终得到的。用本发明方法制备的碳化硅陶瓷泡沫体密度高、强度高,孔隙体积和尺寸易亍控制,并且制作成本较低。 |
| 公开日期 | 2001-12-12 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN1325832 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66863]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张劲松, 曹小明, 马立新, 杨正明 and 杨永进. 一种高强度碳化硅泡沫陶瓷及其制备方法. 2001-12-12. |
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