| 一种等离子体阴极与保护方法 | |
| 杨永进, 张劲松, 孙家言 and 孙博 | |
| 2011-03-30 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及等离子体技术以及化工合成领域,具体为一种应用于等离子体高温合成所使用的直流等离子体装置阴极与保护方法,解决现有等离子体阴极存在的能量利用率低、烧蚀严重的问题。该等离子体阴极为空心阴极和水冷阴极构成的复合阴极,复合阴极的一端为中空结构的空心阴极,复合阴极的另一端为带水冷结构的水冷阴极,空心阴极与水冷阴极上设有相互连通的气体通道,所述气体通道一端与气体入口连通,所述气体通道另一端与空心阴极的内腔连通,由气体通道向空心阴极通入以氢气与烃类组成的混合保护性气体。利用本发明所提供的技术方案能大幅度地提高等离子体阴极的使用寿命、阴极的能量利用率、工作稳定性高,同时具有适用范围广的特点。 |
| 公开日期 | 2011-03-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN101998750A |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66657]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨永进, 张劲松, 孙家言 and 孙博. 一种等离子体阴极与保护方法. 2011-03-30. |
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