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	一种单壁纳米碳管储氢材料的制备方法
	成会明, 刘畅, 范月英, 刘敏, 丛洪涛 and 苏革
	2000-12-27
专利国别	中国
专利类型	发明专利
权利人	中国科学院金属研究所
中文摘要	一种单壁纳米碳管储氢弧材料的制备方法,采用阴、阳极在压力气氛下电弧放电的方式,阳极为由石墨、催化剂混合物组成的消耗阳极,催化剂选自铁、钴、镍、钇中的一种或多种,加入量为2．5～5．0at％,其特征在于：(1)反应气氛为50～400乇氢气；(2)阴极与阳极间成30～80°的角度；(3)构成阳极的反应物中加入0．5～1at％的硫或固体硫化物作生长促进剂；(4)所得单壁纳米碳管用20～65％HNO3或10～37％HCl酸洗,即得纳米碳管储氢材料。本发明制备的储氢材料储氢量高,且制备成本低廉,可以大量生产。
公开日期	2000-12-27
语种	中文
专利申请号	CN1277935
内容类型	专利
源URL	[http://210.72.142.130/handle/321006/66638]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	成会明, 刘畅, 范月英, 刘敏, 丛洪涛 and 苏革. 一种单壁纳米碳管储氢材料的制备方法. 2000-12-27.

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