一种单壁纳米碳管储氢材料的制备方法 | |
成会明, 刘畅, 范月英, 刘敏, 丛洪涛 and 苏革 | |
2000-12-27 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明专利 |
权利人 | 中国科学院金属研究所 |
中文摘要 | 一种单壁纳米碳管储氢弧材料的制备方法,采用阴、阳极在压力气氛下电弧放电的方式,阳极为由石墨、催化剂混合物组成的消耗阳极,催化剂选自铁、钴、镍、钇中的一种或多种,加入量为2.5~5.0at%,其特征在于:(1)反应气氛为50~400乇氢气;(2)阴极与阳极间成30~80°的角度;(3)构成阳极的反应物中加入0.5~1at%的硫或固体硫化物作生长促进剂;(4)所得单壁纳米碳管用20~65%HNO3或10~37%HCl酸洗,即得纳米碳管储氢材料。本发明制备的储氢材料储氢量高,且制备成本低廉,可以大量生产。 |
公开日期 | 2000-12-27 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN1277935 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66638] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 成会明, 刘畅, 范月英, 刘敏, 丛洪涛 and 苏革. 一种单壁纳米碳管储氢材料的制备方法. 2000-12-27. |
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