| 一种Al-O-N扩散阻挡层及制备方法 | |
| 孙超, 王启民, 李伟洲, 姚勇, 鲍泽斌, 刘山川, 宫骏 and 闻立时 | |
| 2008-12-03 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及涂层技术,具体地说是一种Al-O-N扩散阻挡层及制备方法,与 MCrAlY(M＝Ni,Co或Ni+Co)防护涂层结合应用；采用电弧离子镀技术,以 纯铝为靶材,控制反应过程中O2和N2的流量,在高温合金基体上沉积Al-O-N 扩散阻挡层,然后采用电弧离子镀技术沉积MCrAlY涂层。本发明所涉及的这种 Al-O-N扩散阻挡层,组织致密,与基体结合良好,在高温氧化条件下能有效降低 MCrAlY涂层与高温合金基体间金属元素互扩散,改善MCrAlY涂层的高温性能； 而且工艺简单,容易实现工业化生产,是一... |
| 公开日期 | 2008-12-03 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN101314853 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66449]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙超, 王启民, 李伟洲, 姚勇, 鲍泽斌, 刘山川, 宫骏 and 闻立时. 一种Al-O-N扩散阻挡层及制备方法. 2008-12-03. |
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