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旋转磁控电弧离子镀弧源
闻立时, 郎文昌, 孙超, 宫骏, 赵彦辉 and 肖金泉
2009-02-11
专利国别中国
专利类型发明专利
权利人中国科学院金属研究所
中文摘要本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动的旋 转磁控电弧离子镀弧源。在靶材周围空间设有旋转磁场发生装置,旋转磁场发生 装置为采用相差一定均匀角度、相互连接在一起的几个磁极均匀布在同一圆周上, 磁极数量为4n或者3n,n≥1,形成一个整体的电磁回路骨架,励磁线圈套在磁 极上或者嵌在相邻磁极之间的槽隙内,采用相位差90°的两相或者相位差120° 的三相励磁顺序供电,在磁极包围的空间内产生可调旋转磁场。本发明通过可调 速调幅的旋转磁场控制弧斑的运动,可以改善弧斑的放电形式和工作稳定性,提 高靶材刻蚀均匀性和靶材利用率,减少...
公开日期2009-02-11
语种中文
专利申请号CN101363115
内容类型专利
源URL[http://210.72.142.130/handle/321006/66408]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
闻立时, 郎文昌, 孙超, 宫骏, 赵彦辉 and 肖金泉. 旋转磁控电弧离子镀弧源. 2009-02-11.
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