溅射法沉积难熔金属碳化物纳米晶 | |
姜洪刚, 佟华宇, 丁炳哲, 宋启洪 and 胡壮麒 | |
1994-12-07 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明专利 |
权利人 | 中国科学院金属研究所 |
中文摘要 | 一种金属碳化物纳米晶的制备方法,适合于难熔金属如钛、铌、钽、钼、钨,其特征在于工艺过程和参数如下:用机械泵和扩散泵将真空抽到10-5—10-6Torr;充氩气;用纯难熔金属作靶,靶极距50~80mm,无外界加热和冷却,直接溅射沉积。本发明工艺简单易行。 |
公开日期 | 1994-12-07 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN1096061 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66096] |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜洪刚, 佟华宇, 丁炳哲, 宋启洪 and 胡壮麒. 溅射法沉积难熔金属碳化物纳米晶. 1994-12-07. |
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