| 溅射时间对于Mg_2Si/Si异质结的影响 | |
| 张宝晖; 谢泉; 肖清泉; 廖杨芳; 杨云良 | |
| 2015 | |
| 卷号 | 34期号:7页码:46-49 |
| 关键词 | 硅化镁/硅异质结 射频磁控溅射 溅射时间 X射线衍射 表面形貌 电阻率 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6484890 |
| 专题 | 贵州大学 |
| 作者单位 | [1]贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳550025 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张宝晖,谢泉,肖清泉,等. 溅射时间对于Mg_2Si/Si异质结的影响[J],2015,34(7):46-49. |
| APA | 张宝晖,谢泉,肖清泉,廖杨芳,&杨云良.(2015).溅射时间对于Mg_2Si/Si异质结的影响.,34(7),46-49. |
| MLA | 张宝晖,et al."溅射时间对于Mg_2Si/Si异质结的影响".34.7(2015):46-49. |
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