双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究

	双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究
	魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川
刊名	光学学报
	2012
卷号	32 期号:1 页码:0125001-1-0125001-6
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2013-06-03
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24151]
专题	半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川. 双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究[J]. 光学学报,2012,32(1):0125001-1-0125001-6.
APA	魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川.(2012).双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究.光学学报,32(1),0125001-1-0125001-6.
MLA	魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川."双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究".光学学报 32.1(2012):0125001-1-0125001-6.