p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)N异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响

	p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)N异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响
	王晓勇,种明,赵德刚,苏艳梅
刊名	物理学报
	2012
卷号	61 期号:21 页码:217302-1-217302-6
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2013-05-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24103]
专题	半导体研究所_纳米光电子实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	王晓勇,种明,赵德刚,苏艳梅. p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)N异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响[J]. 物理学报,2012,61(21):217302-1-217302-6.
APA	王晓勇,种明,赵德刚,苏艳梅.(2012).p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)N异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响.物理学报,61(21),217302-1-217302-6.
MLA	王晓勇,种明,赵德刚,苏艳梅."p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)N异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响".物理学报 61.21(2012):217302-1-217302-6.