60Coγ射线对高铝组分Al0.5Ga0.5N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响

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	60Coγ射线对高铝组分Al0.5Ga0.5N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响
	张孝富; 李豫东; 郭旗; 罗木昌; 何承发; 于新; 申志辉; 张兴尧; 邓伟; 吴正新
刊名	物理学报
	2013
卷号	62 期号:7 页码:331-336
关键词	高铝组分AlxGa1-xN γ射线辐射效应理想因子欧姆接触
ISSN号	1000-3290
中文摘要	采用60Coγ射线源对高铝组分Al0.5Ga0.5N盲紫外p-i-n结构光探测器和Si基可见光p-i-n结构探测器进行了累计剂量分别为0.1,1,10Mrad(Si)总剂量辐照实验.实验发现,随着辐照剂量的增加,AlGaN盲紫外p-i-n结构光探测器的理想因子显著增大,辐照后理想因子n>2;而Si基可见光p-i-n结构探测器的理想因子随辐照剂量的变化并不明显.AlGaN盲紫外p-i-n结构光探测器理想因子的退化可能主要是因为欧姆接触性能的退化,Si基可见光p-i-n结构探测器的理想因子的变化则可能是由于敏感层的退化。
英文摘要	High Al content AlxGa1.xN solar-blind photodetector and Si p-i-n visible light detector were irradiated with 60Co g -rays up to 0.1, 1, 10 Mrad(Si). With the increase of total radiation dose, the ideality factor of AlxGa1.xN p-i-n diode saw a significant rise and the ideality factor n is grater than 2 with a total dose up to 10 Mrad(Si); the ideality factor of Si p-i-n diode, however, changed only slightly even up to 10 Mrad(Si). The degradation of AlxGa1.xN p-i-n diode might be attributed to the deterioration of Ohmic contacts, however, to some extent, the slight increase of the Si p-i-n diode might be due to the degradation of the insensitive layer.
收录类别	SCI
公开日期	2013-05-24
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2455]
专题	新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；重庆光电技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张孝富,李豫东,郭旗,等. 60Coγ射线对高铝组分Al0.5Ga0.5N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响[J]. 物理学报,2013,62(7):331-336.
APA	张孝富.,李豫东.,郭旗.,罗木昌.,何承发.,...&吴正新.(2013).60Coγ射线对高铝组分Al0.5Ga0.5N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响.物理学报,62(7),331-336.
MLA	张孝富,et al."60Coγ射线对高铝组分Al0.5Ga0.5N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响".物理学报 62.7(2013):331-336.