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	一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法
	郝霄鹏; 戴元滨; 邵永亮; 吴拥中; 刘晓燕; 张浩东; 田媛
	2012-07-11
权利人	山东大学
公开日期	2012-07-11
URL标识	查看原文
内容类型	专利
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6459957
专题	山东大学
推荐引用方式 GB/T 7714	郝霄鹏,戴元滨,邵永亮,等. 一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法. 2012-07-11.

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