题名纳米半导体化合物材料的合成及其磁、光性能研究
作者薄祥喜
学位类别硕士
答辩日期2007-06-07
授予单位中国科学院福建物质结构研究所
授予地点福建物质结构研究所
导师李广社
关键词溶剂热 溶胶凝胶 纳米化合物半导体 超顺磁 光致荧光
其他题名Synthesis of Nanosemiconductor Compound Materials and Their Magnetic or Optical Properties
学位专业凝聚态物理
中文摘要本论文旨在研究尺寸及结构对纳米化合物半导体材料磁学性质,光学性质的影响,为制备优良的纳米化合物半导体材料和探索纳米材料的普适规律提供实验及理论数据。研究内容主要包括以下三个方面: (1)利用溶剂热法制备了ZnFe2O4/γ-Fe2O3磁性双相纳米结构。通过改变反应物中Fe/Zn初始摩尔比来优化反应条件。当Fe/Zn初始摩尔比大于2时,即生成磁性双相纳米结构,并且增强了γ-Fe2O3的稳定性。Fe/Zn初始摩尔比大于6时,磁性双相纳米结构稳定性下降,出现alpha-Fe2O3相。磁性分析结果表明,颗粒表面呈现自旋玻璃态结构。室温下所有的磁性双相样品都是超顺磁的,并且饱和磁矩随双相样品中γ-Fe2O3百分含量增加而增加。 (2)通过溶剂热法制备了胶囊结构的ZnS/SiO2纳米复合物,其中ZnS纳米晶呈六方相,外层被SiO2球包裹,ZnS纳米颗粒粒径约27nm,发蓝光(λem=430nm),而同样条件下制备的纯硫化锌纳米晶只有8.5nm,发绿光(λem=520nm),发光强度明显变弱。通过研究分析胶囊结构的形成机制,我们讨论了表面SiO2对硫化锌纳米颗粒生长及光致荧光性质的影响,认为ZnS/SiO2纳米复合物与纯ZnS不同的荧光结果主要与表面硫空位的浓度有关系。此外,ZnS/SiO2纳米复合物的比表面积只有38 m2/g,孔洞很少,这可以降低孔洞带来的光散射,从而提高发光强度,有力于实际应用。 (3)通过溶胶凝胶法制备了一系列ZnS/SiO2纳米复合物样品,将ZnS纳米颗粒分散在SiO2基体中。制得的硫化锌纳米颗粒尺寸小于硫化锌的玻尔半径,并且随着样品中硫化锌质量百分含量的增加而长大。对于所有样品,硫化锌纳米颗粒的尺寸大小分布在很窄的范围内。漫反射光谱测试和氮气等温吸附-脱附测量结果表明,硫化锌纳米晶表面是高缺陷的,并且随着样品中硫化锌质量百分含量的增加,表面缺陷也增多。光致荧光结果进一步证明了这一点。
语种中文
公开日期2013-05-09
页码66
内容类型学位论文
源URL[http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/350002/7968]  
专题福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_学位论文
推荐引用方式
GB/T 7714
薄祥喜. 纳米半导体化合物材料的合成及其磁、光性能研究[D]. 福建物质结构研究所. 中国科学院福建物质结构研究所. 2007.
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