| 题名 | 大截面低温相偏硼酸钡晶体生长 |
| 作者 | 吴喜泉 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 1999 |
| 授予单位 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 导师 | 陈创天 |
| 中文摘要 | 本文首先对目前关于 BBO 晶体生长的文献作了一次回顾和总结，对各种晶体生长方法作了简单的归类。叙述了晶体生长前期的实验室的改造、炉型、提拉机构、控温方式和坩埚等的设计，测定了电阻丝炉、硅碳棒炉和中频感应炉的温场，并比较了其特点，为晶体生长打下基础。以熔盐提拉法为立足点，研究了原料的制备方法，指出优质的原料是生长高质量晶体的必要条件，讨论了助熔剂的选择原则，并对相图的制作给出一套可行且可靠的途径。在获得可靠的温场和相图数据的基础上，总结出了一套有效控制晶体直径的措施，在较短的周期内获得大块的等径较好的高质量 BBO 晶体，并切割出 18 * 21 * 12mm~3 的高光学均匀性器件(θ = 22.8°,φ = 90°)。对 BBO 晶体的外形进行了观察和研究，指出提拉速度和扩肩速度的综合效应是决定两组主要晶面相对发育程度的外因。通过对晶体缺陷的研究，发现局部组分过冷是引起晶体中包裹物的主要原因，从而提出通过减轻温度波动和液流的冲击来提高晶体质量。首次观察到助熔剂在晶体中的迁移的可能、晶体中的螺旋位错以及晶体上的电荷累积，成功地解释了一些生长现象。探讨了晶体生长的机制，可以解释晶体生长中的缺陷的来源，同时也指明了如何才能抑制缺陷的形成。文章最后对提高 BBO 晶体的质量和尺寸的途径作了探讨。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-05-07 |
| 页码 | 88 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/350002/6990]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴喜泉. 大截面低温相偏硼酸钡晶体生长[D]. 中国科学院福建物质结构研究所. 中国科学院福建物质结构研究所. 1999. |
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