Formation of single crystal nanowires of GaN on the Si substrates | |
Xue, Chengshan[1]; Dong, Zhihua[1]; Zhuang, Huizhao[1]; Gao, Haiyong[1]; Liu, Yi'an[1]; Wu, Yuxin[1] | |
November 2, 2004 - November 5, 2004 | |
会议日期 | November 2, 2004 - November 5, 2004 |
会议地点 | Beijing, China |
会议录 | PRICM 5: The Fifth Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6405816 |
专题 | 山东师范大学 |
作者单位 | [1] Institute of Semiconductor, Shandong Normal University, Ji'nan 250014, China |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Xue, Chengshan[1],Dong, Zhihua[1],Zhuang, Huizhao[1],et al. Formation of single crystal nanowires of GaN on the Si substrates[C]. 见:. Beijing, China. November 2, 2004 - November 5, 2004. |
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