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题名	以Pd为缓冲层制备GaN薄膜和一维纳米结构的研究
作者	郭永福
导师	薛成山
关键词	GaN 纳米结构 Pd缓冲层 磁控溅射 氨化法
学位名称	硕士
URL标识	查看原文
内容类型	学位论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6402938
专题	山东师范大学
作者单位	山东师范大学
推荐引用方式 GB/T 7714	郭永福. 以Pd为缓冲层制备GaN薄膜和一维纳米结构的研究[D].

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