扩Ga基区高反压晶体三级管V—1特性分析 | |
修显武[1]; 孙海波[1] | |
2002 | |
期号 | 5页码:32-35 |
关键词 | 扩Ga基区 高反压晶体三极管 V-1特性 镓 负阻效应 击穿电压 电流放大系数 共基极直流电流放大系数 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6398390 |
专题 | 山东师范大学 |
作者单位 | [1]山东师范大学半导体研究所,济南250014 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 修显武[1],孙海波[1]. 扩Ga基区高反压晶体三级管V—1特性分析[J],2002(5):32-35. |
APA | 修显武[1],&孙海波[1].(2002).扩Ga基区高反压晶体三级管V—1特性分析.(5),32-35. |
MLA | 修显武[1],et al."扩Ga基区高反压晶体三级管V—1特性分析"..5(2002):32-35. |
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