The influence of pressure on the growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure

	The influence of pressure on the growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure
	Bi, Y ; Wang, X.L ; Wang, C.M ; Li, J.P ; Liu, H.X ; Chen, H ; Xiao, H.L ; Feng, C ; Jiang, L.J
刊名	epj applied physics
	2012
卷号	57 期号:3 页码:30103
学科主题	半导体材料
收录类别	EI
语种	英语
公开日期	2013-05-07
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23996]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	Bi, Y,Wang, X.L,Wang, C.M,et al. The influence of pressure on the growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure[J]. epj applied physics,2012,57(3):30103.
APA	Bi, Y.,Wang, X.L.,Wang, C.M.,Li, J.P.,Liu, H.X.,...&Jiang, L.J.(2012).The influence of pressure on the growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure.epj applied physics,57(3),30103.
MLA	Bi, Y,et al."The influence of pressure on the growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure".epj applied physics 57.3(2012):30103.