| 一种快速合成材料芯片的组合离子注入方法 | |
| 李民乾 ; 陈昌明 ; 朱德彰 ; 潘浩昌 ; 胡钧 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 中文摘要 | 本发明提供了一种快速合成材料芯片的离子注 入方法,是将所需结构的掩膜逐次组合定位掩盖在基底材料上, 顺序注入所需种类的离子,经热处理而快速合成大量具有不同 成分材料单元的芯片,其单元和成分的分布可精确控制。该工艺 与硅平面工艺相容,既可用于新材料的快速发现和筛选,也可用 于快速集成纳米基发光单元器件。 |
| 学科主题 | H01L21/265 ; C23C14/48 ; C30B31/22 |
| 公开日期 | 2013-01-23 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN99113420 |
| 专利代理 | 邬震中 ; 高毓秋 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10443]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李民乾,陈昌明,朱德彰,等. 一种快速合成材料芯片的组合离子注入方法. |
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