Ab initio study of antisite defective layered Ge2Sb2Te5 | |
Zhou, J ; Sun, ZM ; Pan, YC ; song, zt(重点实验室) ; Ahuja, R | |
刊名 | MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS |
2012 | |
卷号 | 133期号:1页码:159-162 |
关键词 | Materials Science Multidisciplinary |
ISSN号 | 0254-0584 |
学科主题 | Materials Science |
收录类别 | SCI |
原文出处 | 10.1016/j.matchemphys.2012.01.001 |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2013-05-10 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115548] |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhou, J,Sun, ZM,Pan, YC,et al. Ab initio study of antisite defective layered Ge2Sb2Te5[J]. MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS,2012,133(1):159-162. |
APA | Zhou, J,Sun, ZM,Pan, YC,song, zt,&Ahuja, R.(2012).Ab initio study of antisite defective layered Ge2Sb2Te5.MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS,133(1),159-162. |
MLA | Zhou, J,et al."Ab initio study of antisite defective layered Ge2Sb2Te5".MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS 133.1(2012):159-162. |
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