Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material | |
Ren, K ; Rao, F ; song, zt(重点实验室) ; Wu, LC ; Zhou, XL ; Liu, B(重点实验室) ; Feng, SL(重点实验室) ; Xi, W ; Chen, B | |
刊名 | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
2010 | |
卷号 | 49期号:8页码:80212 |
关键词 | Physics Applied |
ISSN号 | 0021-4922 |
学科主题 | Physics |
收录类别 | SCI |
原文出处 | 10.1143/JJAP.49.080212 |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2013-05-10 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115481] |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Ren, K,Rao, F,song, zt,et al. Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material[J]. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2010,49(8):80212. |
APA | Ren, K.,Rao, F.,song, zt.,Wu, LC.,Zhou, XL.,...&Chen, B.(2010).Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material.JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,49(8),80212. |
MLA | Ren, K,et al."Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material".JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49.8(2010):80212. |
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