Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation | |
Lei, BL ; Yu, GH ; Ye, HH ; Meng, S ; Wang, XZ ; Lin, C ; Qi, M ; Li, A ; Nouet, G ; Ruterana, P ; Chen, J | |
刊名 | THIN SOLID FILMS
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2008 | |
卷号 | 516期号:12页码:3772-3775 |
关键词 | Materials Science Materials Science Physics Physics Multidisciplinary Coatings & Films Applied Condensed Matter |
ISSN号 | 0040-6090 |
学科主题 | Materials Science; Physics |
收录类别 | SCI |
原文出处 | 10.1016/j.tsf.2007.06.101 |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2013-05-10 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115337] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Lei, BL,Yu, GH,Ye, HH,et al. Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation[J]. THIN SOLID FILMS,2008,516(12):3772-3775. |
APA | Lei, BL.,Yu, GH.,Ye, HH.,Meng, S.,Wang, XZ.,...&Chen, J.(2008).Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation.THIN SOLID FILMS,516(12),3772-3775. |
MLA | Lei, BL,et al."Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation".THIN SOLID FILMS 516.12(2008):3772-3775. |
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