Temperature- and field-dependent leakage current of epitaxial YMnO3/GaN heterostructure

	Temperature- and field-dependent leakage current of epitaxial YMnO3/GaN heterostructure
	Wu, H ; Yuan, J ; Peng, T ; Pan, Y ; Han, T ; Liu, C
刊名	APPLIED PHYSICS LETTERS
	2009
卷号	94 期号:12 页码:122904
关键词	Physics Applied
ISSN号	0003-6951
学科主题	Physics
收录类别	SCI
原文出处	10.1063/1.3106635
语种	英语
公开日期	2013-05-10
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115246]
专题	上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Wu, H,Yuan, J,Peng, T,et al. Temperature- and field-dependent leakage current of epitaxial YMnO3/GaN heterostructure[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2009,94(12):122904.
APA	Wu, H,Yuan, J,Peng, T,Pan, Y,Han, T,&Liu, C.(2009).Temperature- and field-dependent leakage current of epitaxial YMnO3/GaN heterostructure.APPLIED PHYSICS LETTERS,94(12),122904.
MLA	Wu, H,et al."Temperature- and field-dependent leakage current of epitaxial YMnO3/GaN heterostructure".APPLIED PHYSICS LETTERS 94.12(2009):122904.