| MOCVD Growth of InGaAs/Al0.2Ga0.8As Strained Multi-quantum Wells 生长InGaAs/Alj0.2Ga0.8As应变多量子阱sheng zhang InGaAs Alj0 2Ga0 8As ying bian duo liang zi jing | |
| Yu,Yongqin; Huang,Baibiao; Wei,Jiyong; Pan,Jiaoqing; Zhou,Hailong; Yue,Jinshun; Li,Shuqiang; Zhang,Xiaoyang; Qin,Xiaoyan; Chen,Wenlan | |
| 刊名 | 光电子·激光
 |
| 2003 | |
| 卷号 | 14期号:3 |
| 关键词 | 多量子阱 In组分 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6353149 |
| 专题 | 山东大学 |
| 作者单位 | 1.山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国. 2.山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国. 3.山东大 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yu,Yongqin,Huang,Baibiao,Wei,Jiyong,等. MOCVD Growth of InGaAs/Al0.2Ga0.8As Strained Multi-quantum Wells 生长InGaAs/Alj0.2Ga0.8As应变多量子阱sheng zhang InGaAs Alj0 2Ga0 8As ying bian duo liang zi jing[J]. 光电子·激光,2003,14(3). |
| APA | Yu,Yongqin.,Huang,Baibiao.,Wei,Jiyong.,Pan,Jiaoqing.,Zhou,Hailong.,...&Ren,Z 更多.(2003).MOCVD Growth of InGaAs/Al0.2Ga0.8As Strained Multi-quantum Wells 生长InGaAs/Alj0.2Ga0.8As应变多量子阱sheng zhang InGaAs Alj0 2Ga0 8As ying bian duo liang zi jing.光电子·激光,14(3). |
| MLA | Yu,Yongqin,et al."MOCVD Growth of InGaAs/Al0.2Ga0.8As Strained Multi-quantum Wells 生长InGaAs/Alj0.2Ga0.8As应变多量子阱sheng zhang InGaAs Alj0 2Ga0 8As ying bian duo liang zi jing".光电子·激光 14.3(2003). |
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