垂直Bridgman生长方法的掺OH(-)和富Bi的Bi4Ge3O12晶体光谱特性

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	垂直Bridgman生长方法的掺OH(-)和富Bi的Bi4Ge3O12晶体光谱特性
	Pingsheng Yu ; 苏良碧 ; 赵衡煜 ; 郭鑫 ; 李红军 ; 99 ; 徐军
刊名	J. Lumines.
	2011-12-07
ISSN号	0022-2313
其他题名	Spectroscopic properties of OH(-) doped and Bi-rich Bi(4)Ge(3)O(12) crystals by vertical Bridgman method
通讯作者	Pingsheng Yu
中文摘要	OH dopedandBi-richBi4Ge3O12 (BGO) singlecrystalsweregrownbyVerticalBridgman(VB)method.The structure of these crystals wasd etermined by XRD,and the emission spectra invisible and near infrared region(NIR)were measured at room temperature.The emission spectrum of Bi-rich BGO has extra peaks at385, 367 and 357nm, Bi-rich BGO after annealing in Ar at500 1C for5hshowsa significantemissionbandpeakingaround1170nmunder808nmlaserdiodes(LDs)excitation,and OH doped BGO shows anoticeable emission band centered at about 1346nm under 980nm LDs excitation.Abriefdiscussionispresented.
学科主题	人工晶体
收录类别	SCI收录
语种	英语
公开日期	2012-07-03
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/931]
专题	上海硅酸盐研究所_人工晶体研究中心_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Pingsheng Yu,苏良碧,赵衡煜,等. 垂直Bridgman生长方法的掺OH(-)和富Bi的Bi4Ge3O12晶体光谱特性[J]. J. Lumines.,2011.
APA	Pingsheng Yu.,苏良碧.,赵衡煜.,郭鑫.,李红军.,...&徐军.(2011).垂直Bridgman生长方法的掺OH(-)和富Bi的Bi4Ge3O12晶体光谱特性.J. Lumines..
MLA	Pingsheng Yu,et al."垂直Bridgman生长方法的掺OH(-)和富Bi的Bi4Ge3O12晶体光谱特性".J. Lumines. (2011).