温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响 | |
李现祥[1]; 李娟[1]; 董捷[1]; 王丽[1]; 姜守振[1]; 韩荣江[1]; 徐现刚[1]; 王继扬[1]; 胡小波[1]; 蒋民华[1] | |
刊名 | 功能材料 |
2004 | |
期号 | z1 |
关键词 | SIC单晶 温度及温度梯度 生长速率 多型 扩径生长 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6338344 |
专题 | 山东大学 |
作者单位 | 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李现祥[1],李娟[1],董捷[1],等. 温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响[J]. 功能材料,2004(z1). |
APA | 李现祥[1].,李娟[1].,董捷[1].,王丽[1].,姜守振[1].,...&蒋民华[1].(2004).温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响.功能材料(z1). |
MLA | 李现祥[1],et al."温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响".功能材料 .z1(2004). |
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