非磁性元素掺杂 ZnO 稀磁半导体研究进展 | |
卓世异 ; 刘学超 ; 熊泽 ; 陈之战 ; 杨建华 ; 施尔畏 | |
刊名 | 人工晶体学报
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2011-08-15 | |
卷号 | 40期号:4页码:1048-1052 |
ISSN号 | 1000-985X |
通讯作者 | 刘学超 |
学科主题 | 人工晶体 |
收录类别 | EI收录 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-07-05 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sic.ac.cn/handle/331005/1347] ![]() |
专题 | 上海硅酸盐研究所_中试基地_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 卓世异,刘学超,熊泽,等. 非磁性元素掺杂 ZnO 稀磁半导体研究进展[J]. 人工晶体学报,2011,40(4):1048-1052. |
APA | 卓世异,刘学超,熊泽,陈之战,杨建华,&施尔畏.(2011).非磁性元素掺杂 ZnO 稀磁半导体研究进展.人工晶体学报,40(4),1048-1052. |
MLA | 卓世异,et al."非磁性元素掺杂 ZnO 稀磁半导体研究进展".人工晶体学报 40.4(2011):1048-1052. |
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