质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧 | |
章家鼎 | |
刊名 | 核技术
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1979 | |
期号 | 02 |
中文摘要 | <正> 一、引言 近年来;由于对半导体材料的需要日益增长;以及制造Ge(Li)半导体探测器技术的迅猛发展;对锗材料的质量要求越来越高了。在一些研究中发现;锗中含的微量氧;对器件的性能会产生很大影响;从而提出了测定高纯锗中痕量氧(氧含量<1ppm)的要求。 |
收录类别 | CNKI |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2013-01-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12424] ![]() |
专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 章家鼎. 质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧[J]. 核技术,1979(02). |
APA | 章家鼎.(1979).质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧.核技术(02). |
MLA | 章家鼎."质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧".核技术 .02(1979). |
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