质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧

	质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧
	章家鼎
刊名	核技术
	1979
期号	02
中文摘要	<正> 一、引言近年来;由于对半导体材料的需要日益增长;以及制造Ge(Li)半导体探测器技术的迅猛发展;对锗材料的质量要求越来越高了。在一些研究中发现;锗中含的微量氧;对器件的性能会产生很大影响;从而提出了测定高纯锗中痕量氧(氧含量<1ppm)的要求。
收录类别	CNKI
语种	中文
公开日期	2013-01-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12424]
专题	上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前
推荐引用方式 GB/T 7714	章家鼎. 质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧[J]. 核技术,1979(02).
APA	章家鼎.(1979).质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧.核技术(02).
MLA	章家鼎."质子活化分析法测定高纯锗中痕量氧".核技术 .02(1979).