液氮致冷金硅面垒半导体电子谱仪

	液氮致冷金硅面垒半导体电子谱仪
	郑万辉 ; 张金洲 ; 朱家璧 ; 田家祺 ; 顾加辉 ; 周桂芬
刊名	核电子学与探测技术
	1983
期号	03
中文摘要	<正> 用半导体探测器[包括面垒型Si(Au)及漂移型Si(Li)]测量电子谱的好处是:分辨率比闪烁计数器要好几十倍;与一般纵向磁谱仪相当;但效率比磁谱仪高得多;结构简单、价格便宜;尤其是它能够作多道式的同时性全谱测量;在低活性和短寿命核素的电子能谱测量中;具有很大的优越性。F.U.M.Bernthal等人以曾测量T_(1/2)=8.1小时
收录类别	CNKI
语种	中文
公开日期	2013-01-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12206]
专题	上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前
推荐引用方式 GB/T 7714	郑万辉,张金洲,朱家璧,等. 液氮致冷金硅面垒半导体电子谱仪[J]. 核电子学与探测技术,1983(03).
APA	郑万辉,张金洲,朱家璧,田家祺,顾加辉,&周桂芬.(1983).液氮致冷金硅面垒半导体电子谱仪.核电子学与探测技术(03).
MLA	郑万辉,et al."液氮致冷金硅面垒半导体电子谱仪".核电子学与探测技术 .03(1983).