| 气氛氧压对PLD法生长Nd:LuVO4薄膜的性能影响 | |
| 王晓霞; 李红霞; 张怀金; 王继扬; 沈明荣; 方亮; 宁兆元 | |
| 刊名 | 中国稀土学报
 |
| 2005 | |
| 卷号 | 23期号:4页码:455-458 |
| 关键词 | 脉冲激光沉积 薄膜 氧分压 稀土 |
| DOI | 10.3321/j.issn:1000-4343.2005.04.016 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6327348 |
| 专题 | 山东大学 |
| 作者单位 | 1.山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国. 2.山东大学, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国. 3.山东大 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓霞,李红霞,张怀金,等. 气氛氧压对PLD法生长Nd:LuVO4薄膜的性能影响[J]. 中国稀土学报,2005,23(4):455-458. |
| APA | 王晓霞.,李红霞.,张怀金.,王继扬.,沈明荣.,...&宁兆元.(2005).气氛氧压对PLD法生长Nd:LuVO4薄膜的性能影响.中国稀土学报,23(4),455-458. |
| MLA | 王晓霞,et al."气氛氧压对PLD法生长Nd:LuVO4薄膜的性能影响".中国稀土学报 23.4(2005):455-458. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论