砷注入硅背散射沟道研究

CORC > 上海应用物理研究所 > 中国科学院上海应用物理研究所 > 中科院上海原子核所2003年前

	砷注入硅背散射沟道研究
	曹德新 ; 朱德彰 ; 周祖尧 ; 胡嘉增 ; 戴仁之 ; 邹世昌
刊名	核技术
	1981-05-01
期号	04
中文摘要	<正> 我们对能量从40keV～150keV;剂量从1×10~(15)离子/cm~2～1×10~(16)离子/cm~2砷离子注入〈111〉单晶硅;进行了H~+和He~+背散射沟道测量。样品经600℃、700℃、825℃热退火后;都未能满意地消除损伤;而经红宝石脉冲激光退火之后;能满意地消除损伤。对40keV剂量为1×10~(16)离子/cm~(275)As~+注入的硅样品;分别进行900℃、30分钟热退火和红宝石脉冲激光退火;而后分别测量了〈111〉轴向和〈110〉轴向背散射沟道谱;砷原子的替位率分别为90％和95％以上;同时对两种退火方式的样品;测量了〈111〉轴向的角分布;观察到在热退火情况下;杂质砷原子的角分布有变窄的现象;大约窄0.2°;脉冲激光退火杂质砷原子的角分布与硅原子的角分布重合得相当好。我们又在连续打七个激光脉冲的斑点上测量了表面砷原子浓度的横向分布;其形状近似于高斯分布。
收录类别	CNKI
语种	中文
公开日期	2013-01-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11967]
专题	上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前
推荐引用方式 GB/T 7714	曹德新,朱德彰,周祖尧,等. 砷注入硅背散射沟道研究[J]. 核技术,1981(04).
APA	曹德新,朱德彰,周祖尧,胡嘉增,戴仁之,&邹世昌.(1981).砷注入硅背散射沟道研究.核技术(04).
MLA	曹德新,et al."砷注入硅背散射沟道研究".核技术 .04(1981).