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气氛氧压对PLD法生长Nd∶LuVO_4薄膜的性能影响
王晓霞,李红霞,张怀金,王继扬,沈明荣,方亮,宁兆元
刊名中国稀土学报
2005
期号04页码:455-458
关键词脉冲激光沉积 Nd∶LuVO4 薄膜 氧分压 稀土
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内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6326047
专题山东大学
作者单位山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶
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GB/T 7714
王晓霞,李红霞,张怀金,王继扬,沈明荣,方亮,宁兆元. 气氛氧压对PLD法生长Nd∶LuVO_4薄膜的性能影响[J]. 中国稀土学报,2005(04):455-458.
APA 王晓霞,李红霞,张怀金,王继扬,沈明荣,方亮,宁兆元.(2005).气氛氧压对PLD法生长Nd∶LuVO_4薄膜的性能影响.中国稀土学报(04),455-458.
MLA 王晓霞,李红霞,张怀金,王继扬,沈明荣,方亮,宁兆元."气氛氧压对PLD法生长Nd∶LuVO_4薄膜的性能影响".中国稀土学报 .04(2005):455-458.
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