气氛氧压对PLD法生长Nd∶LuVO_4薄膜的性能影响 | |
王晓霞,李红霞,张怀金,王继扬,沈明荣,方亮,宁兆元 | |
刊名 | 中国稀土学报
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2005 | |
期号 | 04页码:455-458 |
关键词 | 脉冲激光沉积 Nd∶LuVO4 薄膜 氧分压 稀土 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6326047 |
专题 | 山东大学 |
作者单位 | 山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓霞,李红霞,张怀金,王继扬,沈明荣,方亮,宁兆元. 气氛氧压对PLD法生长Nd∶LuVO_4薄膜的性能影响[J]. 中国稀土学报,2005(04):455-458. |
APA | 王晓霞,李红霞,张怀金,王继扬,沈明荣,方亮,宁兆元.(2005).气氛氧压对PLD法生长Nd∶LuVO_4薄膜的性能影响.中国稀土学报(04),455-458. |
MLA | 王晓霞,李红霞,张怀金,王继扬,沈明荣,方亮,宁兆元."气氛氧压对PLD法生长Nd∶LuVO_4薄膜的性能影响".中国稀土学报 .04(2005):455-458. |
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