射频磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电膜及特性 | |
余旭浒[1]; 马瑾[1]; 计峰[1]; 王玉恒[1]; 王翠英[2]; 马洪磊[1] | |
刊名 | 半导体学报
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2005 | |
期号 | 02 |
关键词 | 磁控溅射 ZNO:GA 光电特性 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6323134 |
专题 | 山东大学 |
作者单位 | 1.山东大学物理与微电子学院,济南250100,中国. 2.泰山医学院物理实验室,泰安271000,中国 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 余旭浒[1],马瑾[1],计峰[1],等. 射频磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电膜及特性[J]. 半导体学报,2005(02). |
APA | 余旭浒[1],马瑾[1],计峰[1],王玉恒[1],王翠英[2],&马洪磊[1].(2005).射频磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电膜及特性.半导体学报(02). |
MLA | 余旭浒[1],et al."射频磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电膜及特性".半导体学报 .02(2005). |
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