高气压屏栅电离室的调试和~(58)Ni(n，p)反应双微分截面的试测

	高气压屏栅电离室的调试和~(58)Ni(n，p)反应双微分截面的试测
	张雪梅 ; 陈泽民 ; 梁伟 ; 唐国有 ; 张国辉 ; ＧｌｅｄｅｎｏｖＹｄ ; ＫｈｕｕｋｈｅｎｋｈｕｕＧ ; ＳｅｄｙｓｈｅｖａＭＶ
刊名	核技术
	1999-01-10
期号	01
中文摘要	介绍了高气压屏栅电离室的结构和调试;并对５８Ｎｉ（ｎ;ｐ）试测结果进行了分析;结果证明此电离室和测量方法对（ｎ;ｐ）反应的测量是适用的。目前正用此电离室进行测量（ｎ;ｐ）反应截面的实验．
收录类别	CNKI
语种	中文
公开日期	2013-01-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11434]
专题	上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前
推荐引用方式 GB/T 7714	张雪梅,陈泽民,梁伟,等. 高气压屏栅电离室的调试和~(58)Ni(n，p)反应双微分截面的试测[J]. 核技术,1999(01).
APA	张雪梅.,陈泽民.,梁伟.,唐国有.,张国辉.,...&ＳｅｄｙｓｈｅｖａＭＶ.(1999).高气压屏栅电离室的调试和~(58)Ni(n，p)反应双微分截面的试测.核技术(01).
MLA	张雪梅,et al."高气压屏栅电离室的调试和~(58)Ni(n，p)反应双微分截面的试测".核技术 .01(1999).