穿透散射法测定氮化钽薄膜的原子比

	穿透散射法测定氮化钽薄膜的原子比
	张达明 ; 吴俊恒 ; 王玟珉 ; 胡序胜
刊名	核技术
	1985-07-30
期号	07
中文摘要	<正> 高精度、高稳定性氮化钽薄膜电阻器;是先在二极阴极溅射钽的同时;向真空室内充入适当量的氮气;进行反应溅射而获得氮化钽膜;再经过热处理和阻值调整后而制得的。实践表明;严格控制制作工艺过程中的氮气分压;使之生成具有一定氮-钽原子比值的薄膜;是制备优质氮化钽薄膜电阻器的关键之一。
收录类别	CNKI
语种	中文
公开日期	2013-01-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11202]
专题	上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前
推荐引用方式 GB/T 7714	张达明,吴俊恒,王玟珉,等. 穿透散射法测定氮化钽薄膜的原子比[J]. 核技术,1985(07).
APA	张达明,吴俊恒,王玟珉,&胡序胜.(1985).穿透散射法测定氮化钽薄膜的原子比.核技术(07).
MLA	张达明,et al."穿透散射法测定氮化钽薄膜的原子比".核技术 .07(1985).