半导体快中子谱仪
张泽夏 ; 候海林 ; 石双惠
刊名核技术
1982-03-02
期号02
中文摘要本文描述了一个由金硅面垒型探测器和锥形面聚乙烯薄膜辐射体所组成的快中子谱议。此谱仪具有结构简单、能量分辨率高、探测效率适中等特点;适用于2~10MeV范围的平行束快中子能谱测量。
收录类别CNKI
语种中文
公开日期2013-01-23
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/11087]  
专题上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前
推荐引用方式
GB/T 7714
张泽夏,候海林,石双惠. 半导体快中子谱仪[J]. 核技术,1982(02).
APA 张泽夏,候海林,&石双惠.(1982).半导体快中子谱仪.核技术(02).
MLA 张泽夏,et al."半导体快中子谱仪".核技术 .02(1982).
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