~(28)Si_n~-(n=1;2)离子对Ag表面的溅射研究

	~(28)Si_n~-(n=1;2)离子对Ag表面的溅射研究
	王震遐 ; 潘冀生 ; 章骥平 ; 陶振兰 ; 杜光天 ; 王传珊 ; 李欣年 ; 谢诒芬
刊名	物理学报
	1995-05-30
期号	05
中文摘要	用原子捕获膜技术结合卢瑟福背散射谱;测定了具有相同原子能量(16keV/原子)的~(25)Si_m~-(n=1;2)离子冲击Ag靶的溅射原子角分布。结果表明;~(26)Si_1~-冲击引起的Ag原子角分布较~(25)Si_2~-冲击在小发射角θ(Ag原子发射方向与靶表面法线方向之间的夹角)区有更大的增强。结合扫描电子显微镜对靶点表面的分析;我们认为这种角分布变化;可能暗示必须考虑靶点表面形貌特征差别的影响。
收录类别	CNKI
语种	中文
公开日期	2013-01-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10736]
专题	上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前
推荐引用方式 GB/T 7714	王震遐,潘冀生,章骥平,等. ~(28)Si_n~-(n=1;2)离子对Ag表面的溅射研究[J]. 物理学报,1995(05).
APA	王震遐.,潘冀生.,章骥平.,陶振兰.,杜光天.,...&谢诒芬.(1995).~(28)Si_n~-(n=1;2)离子对Ag表面的溅射研究.物理学报(05).
MLA	王震遐,et al."~(28)Si_n~-(n=1;2)离子对Ag表面的溅射研究".物理学报 .05(1995).