~(123)I靶子材料中杂质元素的ICP光谱分析 | |
黄宗枝 ; 方企嫈 ; 周洪弟 | |
刊名 | 核技术
![]() |
1983-05-01 | |
期号 | 04 |
中文摘要 | <正> ~(123)I为一种优质核素、具有较~(131)I更为合适的半衰期(13.2小时);无β粒子发射;γ能量适中(159keV);近十年来已在诊疗中取代了~(131)I。~(123)I制备法有直接和间接两种;前者以粒子轰击靶子制得。如~(121)Sb(α、2n)~(123)I;~(122)Te(d、n)~(123)I;~(123)Te(P、n)~(123)I等等。间接法则由粒子束轰击靶子物先制得~(121)Xe(T_(1/2)2.1小时);再经β~+衰变制~(123)I。本所采用α粒子束轰击超纯锑靶;直接制取~(123)I、在核素制备过程中;锑靶纯度直接影响~(123)I的性质;有必要对锑靶痕量元素分析。我们采用ICP光谱法分析了电镀锑靶片;满足了制备的要求。 |
收录类别 | CNKI |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2013-01-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10686] ![]() |
专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄宗枝,方企嫈,周洪弟. ~(123)I靶子材料中杂质元素的ICP光谱分析[J]. 核技术,1983(04). |
APA | 黄宗枝,方企嫈,&周洪弟.(1983).~(123)I靶子材料中杂质元素的ICP光谱分析.核技术(04). |
MLA | 黄宗枝,et al."~(123)I靶子材料中杂质元素的ICP光谱分析".核技术 .04(1983). |
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