| 沿[1 ■00]方向升华法生长6H-SiC单晶 | |
| 姜守振; 李娟; 陈秀芳; 王英民; 宁丽娜; 胡小波; 徐现刚; 王继杨; 蒋民华 | |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 2007 | |
| 期号 | 01页码:14-17 |
| 关键词 | 升华法 SiC 微管 多型 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6254623 |
| 专题 | 山东大学 |
| 作者单位 | 山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜守振,李娟,陈秀芳,等. 沿[1 ■00]方向升华法生长6H-SiC单晶[J]. 人工晶体学报,2007(01):14-17. |
| APA | 姜守振.,李娟.,陈秀芳.,王英民.,宁丽娜.,...&蒋民华.(2007).沿[1 ■00]方向升华法生长6H-SiC单晶.人工晶体学报(01),14-17. |
| MLA | 姜守振,et al."沿[1 ■00]方向升华法生长6H-SiC单晶".人工晶体学报 .01(2007):14-17. |
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