| 外压调制对Cr-Se共掺杂单层MoS2光电特性的影响 | |
| 范梦慧; 蔡勋明; 岑伟富; 骆最芬; 闫万珺; 谢泉 | |
| 2015 | |
| 卷号 | 35期号:2页码:164-170 |
| 关键词 | Cr-Se共掺单层MoS2 应变 电子结构 光学性质 第一性原理 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6249287 |
| 专题 | 贵州大学 |
| 作者单位 | 1.[1]贵州民族大学理学院,贵阳550025 2.[2]贵州大学电子信息学院,贵阳550025 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范梦慧,蔡勋明,岑伟富,等. 外压调制对Cr-Se共掺杂单层MoS2光电特性的影响[J],2015,35(2):164-170. |
| APA | 范梦慧,蔡勋明,岑伟富,骆最芬,闫万珺,&谢泉.(2015).外压调制对Cr-Se共掺杂单层MoS2光电特性的影响.,35(2),164-170. |
| MLA | 范梦慧,et al."外压调制对Cr-Se共掺杂单层MoS2光电特性的影响".35.2(2015):164-170. |
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