| 不同In组分对InxGa1-xAs物理性质影响的研究 | |
| 刘雪飞; 罗子江; 周勋; 王继红; 魏杰敏; 王一; 郭祥; 郎啟智; 刘万松; 丁召 | |
| 2018 | |
| 卷号 | 49期号:5页码:5145-5150 |
| 关键词 | 密度泛函 弛豫 电子结构 键角 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6238911 |
| 专题 | 贵州大学 |
| 作者单位 | 1.[1]贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025 2.[2]贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳550025 3.[3]贵州财经大学信息学院,贵阳550025 4.[4]贵州理工学院,贵阳550002 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘雪飞,罗子江,周勋,等. 不同In组分对InxGa1-xAs物理性质影响的研究[J],2018,49(5):5145-5150. |
| APA | 刘雪飞.,罗子江.,周勋.,王继红.,魏杰敏.,...&丁召.(2018).不同In组分对InxGa1-xAs物理性质影响的研究.,49(5),5145-5150. |
| MLA | 刘雪飞,et al."不同In组分对InxGa1-xAs物理性质影响的研究".49.5(2018):5145-5150. |
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